GaN Systems es un respetado desarrollador líder de transistores de potencia de nitrato de galio entre otros, ofrece sus productos a la industria automotriz.
Los transistores GaN tienen un gran potencial para aplicaciones automotrices porque son más eficientes, más pequeños y en el contenido del sistema más económicos que los transistores de silicón.
Las aplicaciones automotrices particularmente beneficiosas son la carga y la conversión de energía eléctrica en vehículos electrificados. Actualmente, los transistores basados en GaN son todavía nuevos para uso automotriz, pero con el desarrollo conjunto que llevarán a cabo GaN Systems y Vitesco Technologies, estarán disponibles aplicaciones automotrices altamente atractivas. La electrónica de potencia basada en la tecnología GaN ayudará a aumentar la autonomía del vehículo y a mejorar aún más la eficiencia energética total de un vehículo eléctrico.
“Compartimos una larga trayectoria en electrónica de potencia con nuestro nuevo socio GaN Systems. Al combinar nuestro conocimiento automotriz con la experiencia en GaN de nuestro socio, podremos aprovechar los beneficios de esta amplia tecnología de banda ancha en el automóvil”, dijo Thomas Stierle, miembro del Executive Board de la unidad de negocios de Tecnología de Electrificación. "Estamos entusiasmados con nuestra asociación estratégica con GaN Systems para acelerar la adopción de GaN en nuestras soluciones de electrificación."
Jim Witham, CEO de GaN Systems comenta sobre el cierre de la asociación: “Los transistores GaN son la tecnología de sistemas de energía del futuro. El material permite una electrónica de potencia más pequeña, más eficiente y de menor costo. Para nosotros, es una excelente oportunidad para abordar el mercado automotriz global al asociarnos con Vitesco Technologies”.
Los beneficios del Nitruro de Galio
La electrónica de potencia y la conversión de potencia (de AC a DC y de DC a DC) tienen una gran influencia en la eficiencia energética de un vehículo electrificado. Durante cada conversión de energía eléctrica, una cierta cantidad de electricidad se pierde inevitablemente en forma de calor debido a los principios de la física. Esto afecta la eficiencia total de un tren de transmisión eléctrico. Los innovadores materiales semiconductores de banda ancha como GaN y Carburo de Silicio (SiC) ofrecen una solución: facilitan frecuencias de conmutación mucho más altas, tienen menores pérdidas de calor, lo que hace que su integración en productos compactos sea más fácil y rentable. Por lo tanto, Vitesco Technologies ya ofrece chips de SiC en su nueva plataforma de inversor de tracción altamente eficiente (EPF4). Ahora se están agregando chips de GaN a la cartera de tecnología.
“Los transistores de GaN ayudan a minimizar las pérdidas de calor, particularmente las pérdidas de conmutación en las altas frecuencias de conmutación que requerimos. Los componentes de GaN simplemente superan a los chips de silicón en todos los aspectos. Por lo tanto, nuestro acceso temprano a esta tecnología fundamental es valioso”, explica el Dr. Gerd Rösel, jefe de Innovación en la unidad de negocios de Tecnología de Electrificación de Vitesco Technologies.
Requerirá un trabajo de desarrollo conjunto calificado y específico para que la tecnología GaN sea utilizable en el automóvil. Sin embargo, el retorno de este trabajo de desarrollo es enorme: debido a la eficiencia de los transistores de GaN, así como a los bajos requisitos de enfriamiento y las dimensiones compactas resultantes, la electrónica de potencia del futuro podrá aumentar la eficiencia y el alcance de un automóvil eléctrico. “Junto con GaN Systems podremos desarrollar una plataforma para soluciones de grado automotriz aún más eficientes para conversión de 400 V a 800 V DC/DC, para cargadores integrados y en el futuro también para inversores”, dice Rösel.